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　　半導(dǎo)體單晶硅材料在受到外力作用，產(chǎn)生肉眼根本察覺不到的極微小應(yīng)變時，其原子結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電子能級狀態(tài)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈的變化，由其材料制成的電阻也就出現(xiàn)極大變化，這種物理效應(yīng)叫壓阻效應(yīng)。人類是在本世紀(jì)五十年代才開始發(fā)現(xiàn)和研究這一效應(yīng)的應(yīng)用價值的。利用壓阻效應(yīng)原理，采用三維集成電路工藝技術(shù)及一些專用特殊工藝，在單晶硅片上的特定晶向，制成應(yīng)變電阻構(gòu)成的惠斯頓檢測電橋，并同時利用硅的彈性力學(xué)特性，在同一硅片上進(jìn)行特殊的機(jī)械加工，集應(yīng)力敏感與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體的這種力學(xué)量傳感器，稱為固態(tài)壓阻傳感器。以氣、液體壓強(qiáng)為檢測對象的則稱為固態(tài)壓阻壓力傳感器，它誕生于六十年代末期。顯然，它較之傳統(tǒng)的膜合電位計式，力平衡式，變電感式，變電容式，金屬應(yīng)變片式及半導(dǎo)體應(yīng)變片式傳感器技術(shù)上先進(jìn)得多，目前仍是壓力測量領(lǐng)域最新一代傳感器。由于各自的特點及局限性，它雖然不能全面取代上述各種力學(xué)量傳感器，但是，從八十年代中期以后，在美，日，歐傳感器市場上，它已是壓力傳感器中執(zhí)牛耳的品種，并與壓電式幾乎平分了加速度傳感器的國際市場。目前，在以大規(guī)模集成電路技術(shù)和計算機(jī)軟件技術(shù)介入為特色的智能傳感器技術(shù)中，由于它能做成單片式多功能復(fù)合敏感元件來構(gòu)成智能傳感器的基礎(chǔ)，因此，它仍然最受矚目。

　　主要特點：

　　1. 靈敏度高

　　硅應(yīng)變電阻的靈敏因子比金屬應(yīng)變片高50～100倍，故相應(yīng)的傳感器靈敏度很高，一般滿量程輸出為100mv左右。因此對接口電路無特殊要求，應(yīng)用成本相應(yīng)較低。由于它是一種非機(jī)械結(jié)構(gòu)傳感器，因而分辨率極高，國外稱之無限，即主要受限于外界的檢測讀出儀表限制及噪聲干擾限制，一般均可達(dá)傳感器滿量程的十萬分之一以下。硅壓阻傳感器在零點附近的低量程段無死區(qū)，且線性優(yōu)良。 

　　2. 精度高

　　由于固態(tài)壓阻壓力傳感器的感受，敏感轉(zhuǎn)換和檢測三部分由同一個元件實現(xiàn)，沒有中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，所以不重復(fù)性和遲滯誤差極小。同時由于硅單晶本身剛度很大，形變很小，保證了良好的線性，因此綜合靜態(tài)精度很高。 

　　3. 體積小、重量輕、動態(tài)頻響高

　　由于芯體采用集成工藝，又無傳動部件，因此體積小，重量輕。小尺寸芯片加上硅極高的彈性模數(shù)，敏感元件的固有頻率很高。在動態(tài)應(yīng)用時，動態(tài)精度高，使用頻帶寬，合理選擇設(shè)計傳感器外型，使用帶寬可以從零頻至100千赫茲。

　　4. 性能穩(wěn)定、可靠性高

　　由于工作彈性形變低至微應(yīng)變數(shù)量級，彈性薄膜最大位移在亞微米數(shù)量級，因而無磨損、無疲勞、無老化。壽命長達(dá)107壓力循環(huán)次以上。

　　5. 溫度系數(shù)小

　　由于微電子技術(shù)的進(jìn)步，四個應(yīng)變電阻的一致性可做的很高，加之激光修調(diào)技術(shù)、計算機(jī)自動補(bǔ)償技術(shù)的進(jìn)步，目前硅壓阻傳感器的零位與靈敏度溫度系數(shù)已可達(dá)10-5/℃數(shù)量級,即在壓力傳感器領(lǐng)域已超過溫度系數(shù)小的應(yīng)變式傳感器的水平。 

　　6. 適應(yīng)介質(zhì)廣

　　由于硅的優(yōu)良化學(xué)防腐性能，與硅油的良好可兼容性，使得隔離式結(jié)構(gòu)易于實現(xiàn)，即使非隔離型的壓阻壓力傳感器，也有相當(dāng)程度的適應(yīng)各種介質(zhì)的能力。 

　　7. 安全防爆

　　由于其低電壓、低電流的低功耗特點，它是本質(zhì)安全防爆型產(chǎn)品，可廣泛用于各種化工工業(yè)檢測控制等領(lǐng)域，具有最優(yōu)性價比。

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